Модификация GeForce GTX 580 серии Hall of Fame с троичным кулером
Перечень компании Галакси недавно дополнился второй нереференсной модификацией передового адаптера Nvidiа GeForce GTX 580, попавшей в фирменный “зал популярности” (серия Hall of Fame).
Перечень компании Галакси недавно дополнился второй нереференсной модификацией передового адаптера Nvidiа GeForce GTX 580, попавшей в фирменный “зал популярности” (серия Hall of Fame). В базе новинки находится 40 hm чипсет GF110 с 512 ядрами CUDA и помощью компьютерного внешнего вида DirectX 11, а среди ее отличительных черт стоит отметить производительную технологию замораживания с блоком сделанных из алюминия радиаторных ребер и квинтетом металлических теплоотводных трубок размером 6 миллиметров, и 3-мя пропеллерами.
Помимо этого, присутствует усиленная 6+2 фазная система питания (6 фаз для GPU и 2 для памяти), которая включает в себя 6 преобразователей PowIRstage IR3550 и цифровой чип-контроллер CHiL 8266 с помощью широтно-импульсной модуляции и вычисленной перегрузкой по току до 360 ампер. Находится также качественная память GDDR5 с годами подборки 0,3 нс, что вместе с иными параметрами предоставляет основание отнести Галакси GeForce GTX 580 Hall of Fame Edition к заключениям с заводским разгоном.
Тем не менее, точные тактовые частоты GPU, шейдерного блока и памяти источником не доводятся. Кроме остального, графический катализатор Галакси GeForce GTX 580 Hall of Fame Edition несет на борту микросхему VMM 1403, обеспечивающую помощь включения 3-х дисплеев через трио разъемов Мини HDMI и видеовыход DisplayPort. О сроках возникновения в реализации новинки и ее стоимости не упоминается.
Ресурс: Expreview
Схожие новости
Елена Дубцова представила клип «Извини меня» (ВИДЕО)
Видеоклип был снят на композицию «Извини меня», которую исполнительница сообщила сама. Режиссером клипа стал знаменитыйЧитать далее
Исследователи сделали чипсет, изображающий мозговую деятельность
Исследователи из 15 азиатских экспериментальных факультетов, соединившиеся в общий проект BrainScaleS по образованию синтетической электроннойЧитать далее